2018年集成电路先导技术系列研讨会之先进光刻会议召开

2018年“集成电路先导技术”系列研讨会之先进光刻会议今天在北京召开，来自全国各领域的知名学者与工程技术专家，围绕“新型光刻及EUV 光刻技术”和“计算光刻及EUV光刻仿真技术”两方面，进行了集成电路先导技术领域的交流，并促进业内合作，开拓研发思路，探索未来发展路线。

会议现场

▲杨国强：超高精细光刻胶的研发

与会期间，中国科学院大学化学所副校长杨国强博士对现阶段的光刻胶市场进行了分析，紧接着介绍了极紫外光刻技术对新型光刻胶材料的要求，如分辨率、灵敏度、线宽粗糙度，以及极紫外光刻胶的研究进展做了报告，并介绍了EUV光刻胶。

▲段立峰：研制EUV光刻机的机会和挑战

上海微电子装备股份有限公司的段立峰博士对研制EUV光刻机的机会和挑战进行了报告。该报告主要从EUVL的市场机会、EUV光刻机发展历史、EUVL的关键技术等方面展开，并从系统设计、光源、光学系统、一体化光刻机等方面介绍了EUV光刻机的关键技术和难点。

▲毛国平：实现中高端光刻胶的国产化-博康集团的努力

博康集团信息化学品有限公司研发副总的毛国平博士简要介绍了博康集团在光刻胶单体和中高端光刻胶（DUV）的产品和目前的研发进展。

▲熊诗圣：十纳米以下嵌段共聚物导向自俎装光刻技术

复旦大学的熊诗圣教授对十纳米以下嵌段共聚物导向自组装进行了报告，首先回顾了半导体光刻发展路线图，接着从相分离、设计嵌段共聚物等方面介绍了嵌段共聚物的分相原理。同时，展示了DSA在Double DSA串联自组装工艺的应用。

▲马旭：基于压缩感知的快速计算光刻技术

北京理工大学光电学院计算成像研究组的马旭教授为大家带来了压缩感知计算光刻的报告。首先简要介绍了计算光刻的内容，包括光源优化（SO）、光学邻近效应修正(OPC)、光源掩模协同优化（SMO）等；接着提出了自适应的压缩感知技术，该理论在得到信号的某些先验信息后，通过非线性阈值运算直接从近似观测中构造出自适应的投影矩阵，从而有效提高传统压缩感知的压缩效率；最后，报告介绍了基于压缩感知框架的快速SO方法和OPC方法，相比传统的共轭梯度算法，基于压缩感知的计算光刻的运算速度和工艺窗口均得到了提升。

▲施伟杰：摩尔定律的助力剂：计算光刻的历史、趋势与挑战

东方晶源微电子科技有限公司的施伟杰博士对计算光刻的历史、趋势以及挑战进行了精彩的报告。首先回顾了计算光刻的发展历史，指出计算光刻作为摩尔定律的助力剂，发挥了关键的作用。随后分析了计算光刻的发展趋势——深度光刻：将计算优化能力进行综合，与上下游相结合，基于设计、基于电性进行修正；并且与深度学习相结合以获得更高效的优化。

▲沈逸江：基于窄带水平集和半隐式加性算子分裂的光学临近校正

广东工业大学的沈逸江教授介绍了矢量成像模型、利用成像公式的光刻胶耦合图像的多层媒介模型和基于稳定时间模型的水平集优化，并分析了各种模型的优劣。