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韩国三星电子公司宣称:半导体业进入“聚合魔力”时代

记者邰举
   本报首尔3月27日电 韩国联合通讯社今天报道说,韩国三星电子公司3月27日在“三星移动解决方案论坛”上展示了新的混合闪存产品“Flex-OneNAND”。这是该公司继“OneNAND”和“OneDRAM”之后研发的第三种混合储存芯片,不仅保持了OneNAND芯片的高性能,而且可以实现用户的二次定制。

  三星电子强调,随着新的混合型半导体产品不断推出,半导体工业的“聚合魔力(fusionmagic)”时代正在到来。此前,三星电子已经向市场提供了OneNAND、OneDRAM以及闪存固态硬盘和混合硬盘等产品,这些产品综合了不同类型的半导体器件的优势,有效控制了成本,受到了市场的欢迎。三星电子表示,混合(fusion)技术正在为半导体行业带来更高的价值并受到更多的追捧,未来5年内三星混合芯片产品将实现100亿美元以上的销售额。

  27日发布的“Flex-OneNAND”是此前发布的“OneNAND”产品的升级版。保持了One鄄NAND芯片的技术特征和性能,并且在同一块芯片上使用了两种不同类型的NAND闪存单元(SLC和MLC),结合了SLC闪存高性能和MLC闪存高容量的优点。

  Flex-OneNAND的另一个特性是,利用MLC提供的软件,二次开发企业可以重新定制芯片上SLC和MLC闪存的比例。

  三星电子半导体事业部社长黄昌圭表示,“Flex-OneNAND”产品为手机等移动产品生产企业带来了此前难以实现的价值。‘Flex-One鄄NAND可以让企业客户的开发和生产过程更加迅速高效,最终产品也可以更加小型化和降低成本。这些优势都将回馈给消费者。

  三星电子此前开发的OneNAND目前已经得到广泛应用。它在一块芯片上整合了NAND存储内核和NOR控制接口,并直接加入高性能SRAM内存作为芯片的读写缓存。这种结构使整个芯片的性能指标接近NOR闪存,同时容量和成本指标与NAND闪存接近。

  目前面世的闪存主要分为NOR型和NAND型两大类。NOR闪存有独立的地址线和数据线,速度较快,但是价格高,容量较小。NAND型闪存成本较低,容量大,但是速度较慢。

  NAND型闪存又分为SLC和MLC两种类型。其区别在于每个储存单元储存信息的多寡。不同的结构决定了SLC的读写性能、寿命、可靠性较高,而MLC则在容量和成本方面占优势。

  

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