新型相变材料实现高速低功耗相变存储
为国产相变存储器产业化奠定坚实基础
最新一期《科学》杂志发表了中国科学家在相变存储领域的重大突破：中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队研发出一种全新高速低功耗相变材料——钪锑碲合金（ScSbTe），用其制成的相变存储单元实现了700皮秒内（0.7纳秒）的高速可逆擦写操作，操作能耗比现有国际量产锗锑碲合金（GeSbTe）降低了90%。
谁能掌握非易失、高速读写擦存储材料与电路、高密度纳米存储阵列制备工艺，谁就占领了存储技术的国际制高点。宋志棠团队经过十余年的努力，实现了40nm节点相变存储芯片单元99.99%以上的成品率，研制出4Mb、64Mb 不加修正的芯片。而他们这次在《科学》杂志发表的最新成果，以相变八面体基元理论为指导开发出新型相变材料钪锑碲合金，使得相变存储单元的可逆擦写操作速度首次在1纳秒即700皮秒内快速完成，且操作功耗比国际量产的锗锑碲合金降低了90%。
宋志棠表示，新相变材料的这些性能表现，从物理上解决了存储器低功耗与高速擦写问题，配上现有量产芯片中的自主高速读出电路（US8947924），就可以形成我国新一代最先进存储器。他们还将在高密度、三维存储芯片上进一步对该材料进行验证，对我国打破国外封锁以及国产存储器跨越式发展、信息安全与战略需求具有重要的意义。（通讯员 刘晓静）
