砷化铟晶圆微缺陷控制研发场景

场景名称： 砷化铟晶圆微缺陷控制研发场景
场景描述： 为解决砷化铟晶圆生产微缺陷控制难题，重点攻克晶体生长及表面加工工艺，开发满足红外探测、高速电子器件等前沿领域需求的高标准高性能砷化镓晶圆衬底。具体需求包括优化LEC拉晶技术、精准控制炉内温度、压力及生长速率以降低晶体位错及微缺陷；完善CMP抛光及湿法化学清洗技术，降低晶圆表面残留杂质、改善平整度、弯曲度与翘曲度。
所属领域： 制造业领域
负责单位： 青岛浩瀚全材半导体有限公司
所需技术及要求： LEC拉晶技术、CMP抛光技术、湿法化学清洗技术
现有基础： 浩瀚全材专注于研制Ⅲ-V族化合物半导体晶圆衬底，如2-6英寸锑化镓GaSb、半绝缘砷化镓GaAs、砷化镓InAs、锑化镓InSb、碲锌镉CTZ、磷化镓InP等，拥有先进的晶圆制造设施及2000平方米符合ISO14644-1规定等级2标准的洁净车间（百级间），希望与高校、科研机构、行业企业合作，探索新的制造技术，提升晶圆性能和品质。
建设目标： 空
发布时间： 2025年9月
其他说明： 空