在评价专利创造性时,也有必要对权利要求进行解释以明确其保护范围

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【案情简介】

本案所涉专利系名称为“具有与晶体管作用区重叠的接地母线的喷墨打印头”的发明专利(简称涉案专利)。其权利要求1为:“1、一种喷墨打印头,其包括:由衬底(111)和多个薄膜层(11)形成的打印头结构;墨滴发生器(40)的纵阵列(61),其被限定在所述打印头结构中;场效应晶体管电路(85)的纵阵列(81),其形成在所述打印头结构中且分别地连接到所述墨滴发生器上,所述场效应晶体管电路包括作用区,每一作用区包括漏极区(89)、源极区(99)和栅极(91);包括接地母线(181)的电力迹线(86),该接地母线在结合片(74)与所述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路之间电连接;以及所述接地母线(181)通常沿场效应晶体管电路的所述纵阵列的纵向范围延伸,并且与所述作用区部分地重叠。”

另,涉案专利说明书第2页第11行记载:“该作用区激励场效应晶体管驱动电路。”该页第17行记载:“每一作用区包括漏极区、源极区和栅极。”

针对涉案专利,鲍宏伟于2015年2月26日向专利复审委员会提出无效宣告请求,其理由是涉案专利不符合《中华人民共和国专利法》(简称专利法)第三十三条、专利法第二十六条第三款和第四款、《中华人民共和国专利法实施细则》(简称专利法实施细则)第二十条第一款的规定,涉案专利权利要求1-8不具备创造性,不符合专利法第二十二条第三款的规定,故请求宣告涉案专利权利要求全部无效。并提交了相应证据,其中:

证据2-1公开了一种喷墨打印头,其通过芯片13产生的热量将墨滴排出喷嘴。该打印头7的芯片13包括基板34和多个薄膜层。附接到芯片13的外部是喷嘴板66,该喷嘴板66具有一个喷嘴,加热器上方限定腔室,引向喷嘴。芯片13的每侧上是触点29,被来自芯片外的信号驱动。芯片上的电路包括加热器1、电源总线21、地址线23和多个金属氧化物半导体场效应晶体管25。在图4的放大图中显示喷嘴和邻近加热器的MOSFET25呈纵列排布,在打印头内对准。MOSFET25包括漏极区35、源极区36和栅极。结合附图5,驱动加热器1的电流施加到导电层46,同时导电层46实现了加热器1和晶体管25的连接,次触点40通过导电层46使晶体管25接地,即导电层46包含了导电线。并且从附图5中可以看出MOSFET25与加热器1电连接,接地母线电连接次触点40和MOSFET25。

证据2-3公开了一种晶体管结构,晶体管12具有限定在半导体衬底的区域28中的多个间隔开的平行扩散区,以及接触该扩散区以形成交替的源元件S和漏极元件D的导线,源元件S并联地电连接到接地总线16,接地总线横截于晶体管延伸,多晶硅栅电极元件G穿过源元件S和漏极元件D之间,接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠。

专利复审委员会经审查后认为:涉案专利权利要求1的技术方案相对于证据2-1、2-3的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步,因而不具备创造性,不符合专利法第二十二条第三款的规定。并据此作出第27391号无效宣告审查决定(简称被诉决定),宣告涉案专利全部无效。

【调查与处理】

惠普发展公司不服被诉决定,提起行政诉讼称:一、被诉决定对涉案专利“作用区”的解释以及对证据2-3所公开的事实认定不正确;二、涉案专利权利要求1-8相对于证据2-1、2-3以及公知常识的结合具备创造性,符合专利法第二十二条第三款的规定。综上,请求人民法院依法撤销被诉决定,并判令被告重新作出决定。被告专利复审委员会辩称:被诉决定认定事实清楚,适用法律法规正确,审查程序合法,审查结论正确,请求人民法院驳回原告诉讼请求。第三人鲍宏伟请求人民法院驳回原告诉讼请求。

北京知识产权法院经审理认为:

本领域技术人员在了解场效应晶体管工作原理的前提下,结合涉案专利说明书的相关记载,可以确定,涉案专利权利要求1中所称“作用区”,是指同时包含栅极和与其相邻设置的漏极区、源极区,能够通过适当的电压使其产生作用,实现载流子的导通,继而对与之相连的喷墨加热器电阻进行激励的区域。

在确定了涉案专利中“作用区”的明确含义的前提下,北京知识产权法院认定涉案专利权利要求1相对于证据2-1与证据2-3的结合具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。引用涉案专利权利要求1的从属权利要求2-8也均具备创造性。据此,北京知识产权法院判决撤销被诉决定,并判令专利复审委员会重新作出审查决定。

专利复审委员会、鲍宏伟均不服一审判决,均上诉至北京市高级人民法院。北京市高级人民法院审理后认为:一审判决对于涉案专利权利要求1中的“作用区”解释正确。一审判决关于证据2-3并没有给出相应的技术启示的认定正确。北京市高级人民法院据此判决,驳回专利复审委员会和鲍宏伟的上诉请求,维持原判。

【法律分析】

解决本案争议的关键点在于,如何解释涉案专利权利要求中“作用区”的含义。唯有对这个专利权人自创的术语进行了正确的解释,才能够进一步判断现有技术是否给出发相应的技术启示。

由于惠普发展公司在涉案专利权利要求1中提出了“作用区”的概念,而该概念在本领域中并无约定俗成的解释,且涉案专利权利要求1与证据2-1的区别技术特征在于接地母线与作用区部分重叠。因此,要判断现有技术是否给出了相应技术启示,应当首先对涉案专利权利要求1中的“作用区”这一概念进行解释,确定其保护范围。

具体到本案,首先,针对涉案专利权利要求1中的“作用区”,涉案专利说明书第2页第11行记载:“该作用区激励场效应晶体管驱动电路。”该页第17行记载:“每一作用区包括漏极区、源极区和栅极。”由上述记载可知,涉案专利权利要求1中所称“作用区”是由漏极区、源极区和栅极组成,用于激励场效应晶体管驱动电路的区域。

其次,对于场效应晶体管,本领域技术人员应当知晓,其是一种用电压控制电流大小的器件,即利用电场效应来控制晶体管的电流的半导体器件。其工作原理为,通过对栅极施加一定的电压,使得与栅极相邻设置的源极和漏极之间形成导电通道,此时若源极和漏极之间存在电压差,则电子会从源极通过导电通道流向漏级,实现源极和漏极的导通。可见,场效应晶体管须由源极、漏极和栅极相互配合工作方可实现其功能。

因此,本领域技术人员在了解场效应晶体管工作原理的前提下,结合涉案专利说明书的相关记载,可以确定,涉案专利权利要求1中所称“作用区”,是指同时包含栅极和与其相邻设置的漏极区、源极区,能够通过适当的电压使其产生作用,实现载流子的导通,继而对与之相连的喷墨加热器电阻进行激励的区域。

在此基础上,应进一步判断作为对比文件的证据2-3、证据2-1是否给出了相应的技术启示。证据2-3附图2中的半导体衬底的区域28并不相当于涉案专利权利要求1中的“作用区”,附图2中接地总线16与半导体衬底的区域28部分重叠并不相当于涉案专利权利要求1中的“接地母线与作用区部分地重叠”这一技术特征,即,证据2-3并没有公开涉案专利权利要求1相对于证据2-1的区别技术特征。

此外,在证据2-3公开内容的基础上,本领域技术人员并没有动机将其接地总线16与多晶硅栅电极元件G、源元件S和漏极元件D三个区域均部分重叠。这是因为,这样的设置虽然能够使电路设计更紧凑,但是,同时会带来所需驱动电压增高、寄生电容和寄生电阻增加等负面效果,这是本领域技术人员不愿意看到的。因此,证据2-3也并没有给出相应的技术启示。因此,涉案专利权利要求1相对于证据2-1与证据2-3的结合具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。引用涉案专利权利要求1的从属权利要求2-8也均具备创造性。

【典型意义】

专利权所要求保护的是技术方案,而技术方案是无形物,只能通过语言文字进行描述,这决定了专利权的保护范围也只能通过语言文字进行限定。而语言文字并不是一种非常精确的表意工具,其本身的模糊性使得不同的人面对同一段语言文字,往往会对其表达的含义得出不同的理解。事实上,无论何种用途的语言文字,人们都需要对其进行理解、解读方可清楚地确定其含义。对于使用有限的语言描述技术方案的权利要求,无疑更需要理解,而这种理解,就是对权利要求的解释。因此,权利要求的解释对于确定专利权保护范围是必不可少的。特别的,在权利要求书中,专利权人为了简洁而清晰地描述技术方案,往往会自己创设一些术语,这些术语在所属领域中并没有约定俗成的解释。在这种情况下,更需要站在所属领域技术人员的角度上,对这些术语进行解释,才能真正理解专利权要求保护的技术方案,进而确定专利权的保护范围。

由于对权利要求的解释是理解技术方案、确定专利权保护范围的必要途径,因此,无论是在专利侵权案件中,还是在专利授权确权案件中,对权利要求的解释都是不可或缺的。

有关在专利行政案件中对涉案专利的权利要求进行解释的问题,最高人民法院在(2014)行提字第17号行政判决书中认定,专利授权确权程序中,权利要求解释的目的在于通过明确权利要求的含义及其保护范围,对权利要求是否符合专利授权条件或者其效力如何作出判断。通常情况下,在专利授权确权程序中,对权利要求的解释采取最大合理解释原则,即基于权利要求的文字记载,结合对说明书的理解,对权利要求作出最广义的合理解释。如果说明书未对权利要求用语的含义作出特别界定,原则上应采取本领域普通技术人员在阅读权利要求书、说明书和附图之后对该术语所能理解的通常含义,尽量避免利用说明书或者审查档案对该术语作不适当的限制,以便对权利要求是否符合授权条件和效力问题作出更清晰的结论,从而促使申请人修改和完善专利申请文件,提高专利授权确权质量。

由此可见,对权利要求及其中所涉术语的解释,并非仅限于专利民事侵权程序,也并非以权利要求不清楚或者没有明确的唯一含义为前提,在评价专利创造性时,也有必要对权利要求进行解释以明确其保护范围,并在此基础上判断现有技术是否已经给出相应的技术启示。而且,对权利要求的解释必须以本领域技术人员的认识水平和技术能力为标准,结合本专利权利要求书和说明书的相关记载明确权利要求的保护范围。

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责任编辑:冷媚
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