科技日报记者 于紫月
记者从上海交通大学无锡光子芯片研究院获悉，日前，该院于第三届芯片大会暨Chip 2024中国芯片科学十大进展颁奖典礼上正式发布薄膜铌酸锂光子芯片PDK（工艺设计套件）、全球首个光子芯片全链垂直大模型LightSeek。两项成果相辅相成，标志着我国在推动光子芯片从实验室走向规模化量产迈出关键一步。
在芯片领域，PDK相当于芯片设计与制造之间的“通用语言”和“技术手册”。它将复杂的制造工艺参数、器件性能指标等封装成标准化模块。科研机构或企业无需从头摸索制造细节，只需基于PDK就能完成高性能芯片的设计，大幅提升流片成功率。此次发布的薄膜铌酸锂光子芯片PDK，基于上海交大无锡光子芯片研究院自主建设的国内首条光子芯片中试线开发而成。
该PDK构建了全流程器件流片体系，其超低波导损耗、工艺均匀性等核心指标达行业领先，支持大规模集成与整晶圆级制造，通过技术标准化与开放生态，可将设计验证周期从数周缩短至分钟级。
如果说PDK解决了“标准制造”的问题，光子芯片全链垂直大模型LightSeek则为行业带来“智能制造”的答案。
传统光子芯片设计高度依赖工程师经验，耗时耗力。作为面向光子芯片领域的专业化垂类大模型，LightSeek基于海量设计数据和物理模型，可进行智能优化、性能预测和故障诊断，将传统模式下需要数周完成的设计流程大幅缩短至数小时，整体研发效率大幅提升，显著缩短迭代周期、降低研发成本。
中国工程院外籍院士、上海理工大学光子芯片研究院院长顾敏强调，光作为信息载体，具有高速、并行处理的特点，非常适合用于计算。随着光子芯片技术的不断进步，光学人工智能的新时代即将到来。这一技术将广泛应用于各个领域，带来前所未有的计算能力和应用场景。
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