科技日报记者 王禹涵
8月23日，在陕西西安举办的第七届光电子集成芯片立强大会上，陕西光电子先导院科技有限公司（以下简称“光电子先导院”）首次对外公开西北首条8英寸硅光中试平台量产级核心工艺数据，并同步发布LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套工艺设计套件（PDK），正式面向全产业链开放流片服务。
此次公开的量产级核心工艺数据是该平台2025年稳定运营以来，首次系统性向行业共享成熟工艺参数。据介绍，此举补齐了陕西硅光集成领域中试产业化关键短板，推动人工智能算力、高速光互连、光计算等前沿场景国产光电子芯片研发降本增效。
会上，光电子先导院工艺整合研发团队公开了多项关键量产工艺指标。其中，自研2×2MMI多模干涉耦合器实现C+L波段全覆盖，器件插入损耗、信号不平衡度均控制在高标准区间；SOI无源工艺平台关键技术指标同步对外开放。业内人士指出，波导损耗、MMI插损等核心参数直接决定光芯片良率与产品性能，公开实测数据充分印证了工艺体系的稳定性与成熟度。
同步亮相的LPSIN400低损耗氮化硅工艺平台及配套PDK即日起对外提供流片服务，精准适配高速光模块及智算中心高速光互连产业需求。
据测算，此前国内光子芯片初创企业依赖海外流片，单轮研发迭代成本超300万元，周期长达12个月。依托光电子先导院8英寸硅光中试平台，研发迭代周期可压缩至2至3个月，综合研发成本降至海外三分之一以内。
光电子先导院由中国科学院西安光机所联合陕西省科技厅、西安高新区管委会于2015年发起组建，2025年入选工信部首批国家级制造业中试平台，系国内首家聚焦光子集成领域的国家级中试载体。目前，该院6英寸化合物光电芯片产线已累计服务客户80余家；8英寸硅光生产线已完整搭建DUV光刻、刻蚀、离子注入、硅基锗外延、金属化等全工序工艺能力。
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