科技日报记者 李禾
近日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）举行。中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称中微公司）在展会期间推出六款自主研发的全新微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）、原子层沉积（ALD）、金属薄膜沉积及碳化硅外延等工艺环节。这是中微公司继今年3月发布四款新品后，再次推出新品，实现了先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积、精密刻蚀等关键环节全覆盖。
极高深宽比刻蚀技术已成为先进存储器件制造的关键。中微公司此次推出的PrimoXD-RIE™刻蚀机，可实现70:1到90:1的极高深宽比刻蚀。该刻蚀机依托完全自主知识产权研发制造，采用全新工艺气体架构，有效降低温室气体排放，兼顾工艺性能与绿色生产；设备具备多级脉冲功能的大功率高频射频电源，搭配可调波形的大功率直流偏压电源，低温刻蚀系统优化刻蚀精度与刻蚀效率，拓宽工艺适配窗口。
在薄膜沉积领域，中微公司推出四款全新自研设备。其中，PerformoQuaStar®ON为PECVD系列首款产品，面向3D闪存氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺，单系统最多可同时处理16片晶圆，毫秒级工艺控制能力确保叠层之间膜厚与性能的高度一致；面向硅基PECVD介质薄膜的设备，涵盖氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳化硅等材料体系；12英寸ALD金属钼设备，搭载毫秒级精度高速气体切换系统；金属硅化物集成系统，集成原位高选择性前清洁、PECVD金属钛及ALD氮化钛三类工艺模块。
据介绍，中微公司自2004年成立以来，已开发出54种高端半导体设备，包括26种等离子体刻蚀机和24种各类薄膜设备、化学机械抛光设备和部分量检测设备，累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产。2012年至今，企业已连续14年保持平均年销售超35%的增长，人均年销售额达450万元。企业持续加大研发创新力度，目前50多种设备产品已覆盖超过30%的前道集成电路设备产品，未来将通过自主开发与外延并购，努力成为全球领先的高端设备平台型公司。
（受访者供图）
网友评论
