7月8日，南昌大学江风益院士牵头的项目“V缺陷三维PN结及应用”荣获2025年度国家自然科学奖一等奖。长期以来，氮化镓芯片内部V缺陷被全球学界、产业认定为性能缺陷，行业都在全力消除它。江风益团队逆向创新，原创V缺陷三维PN结理论，将二维PN结拓展为三维立体结构，打通低空穴注入通道，化“致命瑕疵”为性能增益点。
技术落地后显著提升黄、红、蓝绿LED发光效率，攻克硅基氮化镓晶圆集成，开辟无荧光粉纯芯片LED路线，成功研制微型显示芯片、全球首款黄光AR眼镜，原创底层理论被海内外产业广泛应用，撑起我国自主半导体照明底层技术体系。
（科技日报记者 赵卫华 魏依晨）
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