活力中国调研行丨格恩半导体:氮化镓激光芯片规模量产、打破垄断

2026-08-08 17:16:14 来源: 科技日报 点击数:

科技日报实习记者 孙金 记者 王姗姗

8月7日,记者随2026年“活力中国调研行”安徽主题采访活动来到了六安市格恩半导体股份有限公司(格恩半导体)。记者了解到,格恩半导体率先实现国内氮化镓激光芯片的规模量产,打破了该激光芯片长期被国外企业垄断的局面,填补了国内产业空白。

“开拓市场时,都以为我们是骗子,从来没听说过这个领域的国产芯片。”格恩半导体技术中心副总经理杨力勋说,“现在我们大概取代了10%的市场。产品比国外竞品至少便宜三分之一,技术性能上,至少与他们持平。”

从2021年入驻六安,到2023年实现规模量产。目前,安徽格恩半导体已成为全球少数拥有从芯片设计、外延生长、芯片制造、特种封装,到模组、器件、整机制造等完整产业布局的氮化镓激光领域的IDM企业。

据悉,格恩半导体累计自研申请专利500余项,其中发明专利占比超90%。

(科技日报实习记者 孙金 摄)

责任编辑:王倩
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